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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > IXGQ50N60C4D1
IXGQ50N60C4D1
IXGQ50N60C4D1
Modelo do Produto:
IXGQ50N60C4D1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 600V 90A 300W TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16232 Pieces
Ficha de dados:
IXGQ50N60C4D1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.3V @ 15V, 36A
Condição de teste:400V, 36A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:40ns/270ns
Alternando Energia:950µJ (on), 840µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):25ns
Power - Max:300W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXGQ50N60C4D1
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:113nC
Descrição expandida:IGBT PT 600V 90A 300W Through Hole TO-3P
Descrição:IGBT 600V 90A 300W TO3P
Atual - Collector Pulsada (ICM):220A
Atual - Collector (Ic) (Max):90A
Email:[email protected]

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