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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > IXGQ85N33PCD1
IXGQ85N33PCD1
IXGQ85N33PCD1
Modelo do Produto:
IXGQ85N33PCD1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 330V 85A 150W TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18119 Pieces
Ficha de dados:
IXGQ85N33PCD1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):330V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:3V @ 15V, 100A
Condição de teste:-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:-
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:Polar™
Inversa de tempo de recuperação (trr):250ns
Power - Max:150W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXGQ85N33PCD1
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:80nC
Descrição expandida:IGBT 330V 85A 150W Through Hole TO-3P
Descrição:IGBT 330V 85A 150W TO3P
Atual - Collector Pulsada (ICM):-
Atual - Collector (Ic) (Max):85A
Email:[email protected]

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