IXTP6N50D2
IXTP6N50D2
Modelo do Produto:
IXTP6N50D2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12634 Pieces
Ficha de dados:
IXTP6N50D2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:500 mOhm @ 3A, 0V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTP6N50D2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:96nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Descrição expandida:N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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