IXTP60N20T
IXTP60N20T
Modelo do Produto:
IXTP60N20T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12532 Pieces
Ficha de dados:
IXTP60N20T.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:Trench™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):500W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTP60N20T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4530pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 60A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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