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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTQ48N20T
IXTQ48N20T
IXTQ48N20T
Modelo do Produto:
IXTQ48N20T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12426 Pieces
Ficha de dados:
IXTQ48N20T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:Trench™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:50 mOhm @ 24A, 10V
Dissipação de energia (Max):250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXTQ48N20T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3090pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 48A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-3P
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

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