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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTU01N100D
IXTU01N100D
IXTU01N100D
Modelo do Produto:
IXTU01N100D
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14130 Pieces
Ficha de dados:
IXTU01N100D.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 Ohm @ 50mA, 0V
Dissipação de energia (Max):1.1W (Ta), 25W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTU01N100D
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

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