IXTU08N100P
IXTU08N100P
Modelo do Produto:
IXTU08N100P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14794 Pieces
Ficha de dados:
IXTU08N100P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXTU08N100P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) Through Hole TO-251
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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