JAN1N5809
Modelo do Produto:
JAN1N5809
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
19790 Pieces
Ficha de dados:
JAN1N5809.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:875mV @ 4A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Military, MIL-PRF-19500/477
Inversa de tempo de recuperação (trr):30ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:B, Axial
Outros nomes:1086-2124
1086-2124-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:JAN1N5809
Descrição expandida:Diode Standard 100V 6A Through Hole
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io):6A
Capacitância @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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