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MJ11015G
- Modelo do Produto:
- MJ11015G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14207 Pieces
- Ficha de dados:
- MJ11015G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para MJ11015G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para MJ11015G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 120V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 4V @ 300mA, 30A |
| Tipo transistor: | PNP - Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200W |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | TO-204AA, TO-3 |
| Outros nomes: | MJ11015GOS |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 9 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | MJ11015G |
| Frequência - Transição: | 4MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-3 |
| Descrição: | TRANS PNP DARL 120V 30A TO3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 20A, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 30A |
| Email: | [email protected] |
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