MJ11033G
MJ11033G
Modelo do Produto:
MJ11033G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16122 Pieces
Ficha de dados:
MJ11033G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):120V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:3.5V @ 500mA, 50A
Tipo transistor:PNP - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3
Série:-
Power - Max:300W
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:TO-204AE
Outros nomes:MJ11033GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:MJ11033G
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
Descrição:TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 25A, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):2mA
Atual - Collector (Ic) (Max):50A
Email:[email protected]

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