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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
MMIX1F44N100Q3
Modelo do Produto:
MMIX1F44N100Q3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 30A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19306 Pieces
Ficha de dados:
1.MMIX1F44N100Q3.pdf2.MMIX1F44N100Q3.pdf
inquérito

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:6.5V @ 8mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:24-SMPD
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:245 mOhm @ 22A, 10V
Dissipação de energia (Max):694W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:24-PowerSMD, 21 Leads
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:MMIX1F44N100Q3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:264nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 30A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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