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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > MMIX1T132N50P3
MMIX1T132N50P3
MMIX1T132N50P3
Modelo do Produto:
MMIX1T132N50P3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
SMPD HIPERFETS & MOSFETS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15911 Pieces
Ficha de dados:
1.MMIX1T132N50P3.pdf2.MMIX1T132N50P3.pdf
inquérito

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Polar3™
Série:Polar™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:43 mOhm @ 66A, 10V
Dissipação de energia (Max):520W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:24-PowerSMD, 22 Leads
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:MMIX1T132N50P3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:18600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:267nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 63A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount Polar3™
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:SMPD HIPERFETS & MOSFETS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:63A (Tc)
Email:[email protected]

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