NDD02N40-1G
NDD02N40-1G
Modelo do Produto:
NDD02N40-1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17333 Pieces
Ficha de dados:
NDD02N40-1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Dissipação de energia (Max):39W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:NDD02N40-1G-ND
NDD02N40-1GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:NDD02N40-1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:121pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 400V 1.7A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):400V
Descrição:MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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