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NDD02N60Z-1G
- Modelo do Produto:
- NDD02N60Z-1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V IPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12828 Pieces
- Ficha de dados:
- NDD02N60Z-1G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NDD02N60Z-1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NDD02N60Z-1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I-Pak |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 57W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Outros nomes: | NDD02N60Z-1G-ND NDD02N60Z-1GOS NDD02N60Z1G |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 28 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | NDD02N60Z-1G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 274pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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