NDDP010N25AZT4H
NDDP010N25AZT4H
Modelo do Produto:
NDDP010N25AZT4H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17323 Pieces
Ficha de dados:
NDDP010N25AZT4H.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK/TP-FA
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:420 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta), 52W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NDDP010N25AZT4H-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:NDDP010N25AZT4H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:980pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 10A (Ta) 1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK/TP-FA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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