NDS356P
Modelo do Produto:
NDS356P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15652 Pieces
Ficha de dados:
1.NDS356P.pdf2.NDS356P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:210 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:NDS356PTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NDS356P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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