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NTLJD3182FZTBG
- Modelo do Produto:
- NTLJD3182FZTBG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17554 Pieces
- Ficha de dados:
- NTLJD3182FZTBG.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NTLJD3182FZTBG, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NTLJD3182FZTBG por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-WDFN (2x2) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 710mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NTLJD3182FZTBG |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrição expandida: | P-Channel 20V 2.2A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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