NTLJD3183CZTBG
NTLJD3183CZTBG
Modelo do Produto:
NTLJD3183CZTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16869 Pieces
Ficha de dados:
NTLJD3183CZTBG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WDFN (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:68 mOhm @ 2A, 4.5V
Power - Max:710mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTLJD3183CZTBG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:355pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.6A, 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.6A, 2.2A
Email:[email protected]

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