NTP2955G
NTP2955G
Modelo do Produto:
NTP2955G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16382 Pieces
Ficha de dados:
NTP2955G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:196 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:NTP2955G-ND
NTP2955GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Número de peça do fabricante:NTP2955G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 2.4A (Ta) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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