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PHD22NQ20T,118
- Modelo do Produto:
- PHD22NQ20T,118
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12451 Pieces
- Ficha de dados:
- PHD22NQ20T,118.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para PHD22NQ20T,118, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para PHD22NQ20T,118 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK |
| Série: | TrenchMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 120 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 150W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | 934058112118 PHD22NQ20T /T3 PHD22NQ20T /T3-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | PHD22NQ20T,118 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1380pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 30.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 21.1A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 21.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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