PMDPB95XNE,115
PMDPB95XNE,115
Modelo do Produto:
PMDPB95XNE,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17910 Pieces
Ficha de dados:
PMDPB95XNE,115.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN2020-6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 2A, 4.5V
Power - Max:475mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:568-10764-2
934067055115
PMDPB95XNE,115-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMDPB95XNE,115
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 475mW Surface Mount DFN2020-6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A
Email:[email protected]

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