PMF3800SN,115
PMF3800SN,115
Modelo do Produto:
PMF3800SN,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16128 Pieces
Ficha de dados:
PMF3800SN,115.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-323-3
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):560mW (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:568-11275-2
934058527115
PMF3800SN T/R
PMF3800SN T/R-ND
PMF3800SN,115-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMF3800SN,115
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 260mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:260mA (Ta)
Email:[email protected]

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