PMWD30UN,518
Modelo do Produto:
PMWD30UN,518
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14701 Pieces
Ficha de dados:
PMWD30UN,518.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power - Max:2.3W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes:568-2364-1
PMWD30UN518
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMWD30UN,518
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1478pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5A
Email:[email protected]

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