PMXB65ENEZ
PMXB65ENEZ
Modelo do Produto:
PMXB65ENEZ
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15405 Pieces
Ficha de dados:
PMXB65ENEZ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN1010D-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:67 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-XDFN Exposed Pad
Outros nomes:1727-1478-2
1727-1478-2INACTIVE-ND
568-10949-2
568-10949-2-ND
934067148147
PMXB65ENE
PMXB65ENEZ-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:PMXB65ENEZ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:295pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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