PMXB65UPEZ
PMXB65UPEZ
Modelo do Produto:
PMXB65UPEZ
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16942 Pieces
Ficha de dados:
PMXB65UPEZ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN1010D-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-XDFN Exposed Pad
Outros nomes:1727-2177-2
568-12342-2
568-12342-2-ND
934067151147
PMXB65UPE,147
PMXB65UPEZ-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:PMXB65UPEZ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:634pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 3.2A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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