PMZB350UPE,315
PMZB350UPE,315
Modelo do Produto:
PMZB350UPE,315
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16068 Pieces
Ficha de dados:
PMZB350UPE,315.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:3-DFN1006B (0.6x1)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 300mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-XFDFN
Outros nomes:1727-1243-2
568-10449-2
568-10449-2-ND
934066841315
PMZB350UPE,315-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMZB350UPE,315
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:127pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.9nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 1A (Ta) 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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