R6018ANJTL
R6018ANJTL
Modelo do Produto:
R6018ANJTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14167 Pieces
Ficha de dados:
R6018ANJTL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LPTS
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:270 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-83
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:R6018ANJTL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 18A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

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