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RDN050N20FU6
- Modelo do Produto:
- RDN050N20FU6
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16356 Pieces
- Ficha de dados:
- RDN050N20FU6.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RDN050N20FU6, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RDN050N20FU6 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220FN |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 720 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 30W (Tc) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | RDN050N20FU6 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 292pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 18.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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