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APTM120U10SAG
- Modelo do Produto:
- APTM120U10SAG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14524 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.APTM120U10SAG.pdf2.APTM120U10SAG.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para APTM120U10SAG, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para APTM120U10SAG por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 20mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SP6 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 120 mOhm @ 58A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 3290W (Tc) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SP6 |
| Outros nomes: | APTM120U10SAGMI APTM120U10SAGMI-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | APTM120U10SAG |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 28900pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 1100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1200V (1.2kV) 116A 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 116A |
| Email: | [email protected] |
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