RGT8BM65DTL
RGT8BM65DTL
Modelo do Produto:
RGT8BM65DTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
IGBT 650V 8A 62W TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13018 Pieces
Ficha de dados:
RGT8BM65DTL.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 4A
Condição de teste:400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:17ns/69ns
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):40ns
Power - Max:62W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:RGT8BM65DTLTR
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:RGT8BM65DTL
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:13.5nC
Descrição expandida:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 62W Surface Mount TO-252
Descrição:IGBT 650V 8A 62W TO-252
Atual - Collector Pulsada (ICM):12A
Atual - Collector (Ic) (Max):8A
Email:[email protected]

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