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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > RGTH00TS65GC11
RGTH00TS65GC11
RGTH00TS65GC11
Modelo do Produto:
RGTH00TS65GC11
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12643 Pieces
Ficha de dados:
RGTH00TS65GC11.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Condição de teste:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:39ns/143ns
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247N
Série:-
Power - Max:277W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:RGTH00TS65GC11
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:94nC
Descrição expandida:IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
Descrição:IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Atual - Collector Pulsada (ICM):200A
Atual - Collector (Ic) (Max):85A
Email:[email protected]

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