RJK03C1DPB-00#J5
RJK03C1DPB-00#J5
Modelo do Produto:
RJK03C1DPB-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18879 Pieces
Ficha de dados:
RJK03C1DPB-00#J5.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LFPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):65W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-100, SOT-669
Outros nomes:RJK03C1DPB-00#J5-ND
RJK03C1DPB-00#J5TR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RJK03C1DPB-00#J5
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Body)
Descrição expandida:N-Channel 30V 60A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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