RJK03M5DNS-00#J5
Modelo do Produto:
RJK03M5DNS-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19817 Pieces
Ficha de dados:
RJK03M5DNS-00#J5.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-HWSON (3.3x3.3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):15W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:RJK03M5DNS-00#J5
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 25A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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