RJK60S7DPK-M0#T0
RJK60S7DPK-M0#T0
Modelo do Produto:
RJK60S7DPK-M0#T0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14758 Pieces
Ficha de dados:
RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PSG
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):227.2W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3PSG
Outros nomes:RJK60S7DPKM0T0
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RJK60S7DPK-M0#T0
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 30A (Tc) 227.2W (Tc) Through Hole TO-3PSG
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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