RN1103MFV(TPL3)
RN1103MFV(TPL3)
Modelo do Produto:
RN1103MFV(TPL3)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19539 Pieces
Ficha de dados:
RN1103MFV(TPL3).pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:VESM
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):22k
Resistor - Base (R1) (Ohms):22k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:RN1103MFV(TPL3)
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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