RS1E240BNTB
RS1E240BNTB
Modelo do Produto:
RS1E240BNTB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19952 Pieces
Ficha de dados:
RS1E240BNTB.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-HSOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.2 mOhm @ 24A, 10V
Dissipação de energia (Max):3W (Ta), 30W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:RS1E240BNTBTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RS1E240BNTB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 24A (Ta) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Ta)
Email:[email protected]

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