RSH065N06TB1
RSH065N06TB1
Modelo do Produto:
RSH065N06TB1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18831 Pieces
Ficha de dados:
RSH065N06TB1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:37 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:RSH065N06TB1TR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RSH065N06TB1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

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