SCT2160KEC
SCT2160KEC
Modelo do Produto:
SCT2160KEC
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16755 Pieces
Ficha de dados:
SCT2160KEC.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):+22V, -6V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:208 mOhm @ 7A, 18V
Dissipação de energia (Max):165W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:SCT2160KEC
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 800V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 18V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):18V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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