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SCT30N120
- Modelo do Produto:
- SCT30N120
- Fabricante:
- ST
- Descrição:
- MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16045 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.SCT30N120.pdf2.SCT30N120.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SCT30N120, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SCT30N120 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 1mA (Typ) |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | HiP247™ |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Dissipação de energia (Max): | 270W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | 497-14960 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SCT30N120 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 400V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 20V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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