SH8M4TB1
SH8M4TB1
Modelo do Produto:
SH8M4TB1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19135 Pieces
Ficha de dados:
1.SH8M4TB1.pdf2.SH8M4TB1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 9A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SH8M4TB1TR
SP8M4TB
SP8M4TBTR
SP8M4TBTR-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SH8M4TB1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1190pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A, 7A
Email:[email protected]

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