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SI3475DV-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI3475DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17989 Pieces
- Ficha de dados:
- SI3475DV-T1-GE3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SI3475DV-T1-GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SI3475DV-T1-GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Outros nomes: | SI3475DV-T1-GE3DKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SI3475DV-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 200V 950mA (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 950mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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