Comprar SI4864DY-T1-GE3 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.6W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SI4864DY-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 20V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 17A (Ta) |
| Email: | [email protected] |