SI9926BDY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI9926BDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19641 Pieces
Ficha de dados:
SI9926BDY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power - Max:1.14W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI9926BDY-T1-E3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI9926BDY-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.2A
Email:[email protected]

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