SIB488DK-T1-GE3
SIB488DK-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIB488DK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14980 Pieces
Ficha de dados:
SIB488DK-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SC-75-6L Single
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2.4W (Ta), 13W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SC-75-6L
Outros nomes:SIB488DK-T1-GE3TR
SIB488DKT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Número de peça do fabricante:SIB488DK-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:725pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 12V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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