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SIHB35N60E-GE3
- Modelo do Produto:
- SIHB35N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19619 Pieces
- Ficha de dados:
- SIHB35N60E-GE3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SIHB35N60E-GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SIHB35N60E-GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D²PAK (TO-263) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 94 mOhm @ 17A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 250W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | SiHB35N60E-GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SIHB35N60E-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2760pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 132nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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