Comprar SIHH14N60E-T1-GE3 com BYCHPS
Compre com garantia
SIHH14N60E-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SIHH14N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15136 Pieces
- Ficha de dados:
- SIHH14N60E-T1-GE3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SIHH14N60E-T1-GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SIHH14N60E-T1-GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerPAK® 8 x 8 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 255 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 147W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerTDFN |
| Outros nomes: | SIHH14N60E-T1-GE3TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 19 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SIHH14N60E-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1416pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 16A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SIHH14N60E-T1-GE3
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHH11N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK | inquérito |
 |
SIHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8 | inquérito |
|
SIHH11N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK | inquérito |
 |
AUIRFZ44NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | inquérito |
|
SIHH14N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK | inquérito |
 |
APT80SM120J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | inquérito |
|
SIHH14N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8 | inquérito |
 |
IRFU014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | inquérito |
 |
SI9433BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC | inquérito |
 |
SIHP14N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | inquérito |
|
SIHH11N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 | inquérito |
|
SIHH11N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog