SIR692DP-T1-RE3
SIR692DP-T1-RE3
Modelo do Produto:
SIR692DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15709 Pieces
Ficha de dados:
SIR692DP-T1-RE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SO-8
Série:ThunderFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:63 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):104W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SO-8
Outros nomes:SIR692DP-T1-RE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Número de peça do fabricante:SIR692DP-T1-RE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1405pF @ 125V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 7.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):7.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24.2A (Tc)
Email:[email protected]

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