SIS407ADN-T1-GE3
SIS407ADN-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIS407ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16318 Pieces
Ficha de dados:
SIS407ADN-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 15A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8
Outros nomes:SIS407ADN-T1-GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Número de peça do fabricante:SIS407ADN-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5875pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:168nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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