SQM50P03-07_GE3
Modelo do Produto:
SQM50P03-07_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 50A TO263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16088 Pieces
Ficha de dados:
SQM50P03-07_GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (D²Pak)
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:SQM50P03-07_GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5380pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 50A TO263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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