SSM3J325F,LF
Modelo do Produto:
SSM3J325F,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14889 Pieces
Ficha de dados:
SSM3J325F,LF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:S-Mini
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):600mW (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SSM3J325FLFDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM3J325F,LF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.6nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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